SI7860DP-T1-E3全国供应商、价格、PDF
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SI7860DP-T1-E3 PDF下载
- 大小：316K
- 厂家：Vishay
- 描述： TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:18A; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:1.8W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
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